GB/T 15662-1995導(dǎo)電、防靜電塑料體積電阻率測(cè)試方法
2023-08-23
GB/T 15662-1995導(dǎo)電、防靜電塑料體積電阻率測(cè)試方法 GB/T 15662-1995是導(dǎo)電、防靜電塑料體積電阻率測(cè)試方法的標(biāo)準(zhǔn)。它規(guī)定了測(cè)試導(dǎo)電、防靜電塑料體積電阻率的原理、測(cè)試儀器和測(cè)試方法。測(cè)試方法包括測(cè)試前的樣品準(zhǔn)備、測(cè)試步驟和數(shù)據(jù)處理。該標(biāo)準(zhǔn)適用于體積電阻率小于10^6Ω·m的塑料。
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GB/T 2439-2001硫化橡膠或熱塑性橡膠 導(dǎo)電性能和耗散性能電阻率的測(cè)定
2023-08-23
GB/T 2439-2001硫化橡膠或熱塑性橡膠 導(dǎo)電性能和耗散性能電阻率的測(cè)定 GB/T 2439-2001是關(guān)于硫化橡膠或熱塑性橡膠導(dǎo)電性能和耗散性能電阻率測(cè)定的標(biāo)準(zhǔn)，它規(guī)定了測(cè)量硫化橡膠或熱塑性橡膠導(dǎo)電性能和耗散性能電阻率的試驗(yàn)方法。 該標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試方法包括以下步驟： 按照標(biāo)準(zhǔn)要求制備試樣，要求試樣的厚度在一定范圍內(nèi)，表面應(yīng)平整、無氣泡、雜質(zhì)和損*傷。 將試樣置于測(cè)試環(huán)境中一段時(shí)間，保證試樣與環(huán)境溫度一致。
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GB/T 1692-2008硫化橡膠 絕緣電阻率的測(cè)定
2023-08-23
GB/T 1692-2008硫化橡膠 絕緣電阻率的測(cè)定 《GB/T 1692-2008 硫化橡膠 絕緣電阻率的測(cè)定》于2008年5月14日發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硫化橡膠絕緣電阻率的測(cè)定方法，適用于各種硫化橡膠制品。該標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容包括：測(cè)定原理、試驗(yàn)設(shè)備、試樣制備、試驗(yàn)步驟、結(jié)果計(jì)算和試驗(yàn)報(bào)告。其中，測(cè)定原理基于歐姆定律，通過測(cè)量硫化橡膠試樣兩端的電壓和流過試樣的電流，計(jì)算得到絕緣電阻率。試驗(yàn)設(shè)備包括電源、電壓表、電流表、電阻箱和測(cè)試夾具等。試樣制備要求試樣的形狀和尺寸符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，表面應(yīng)平整、無氣泡、雜質(zhì)和損*傷
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GB/T 15738-2008導(dǎo)電和抗靜電纖維增強(qiáng)塑料電阻率試驗(yàn)方法
2023-08-23
GB/T 15738-2008導(dǎo)電和抗靜電纖維增強(qiáng)塑料電阻率試驗(yàn)方法 GB/T 15738-2008是關(guān)于導(dǎo)電和抗靜電纖維增強(qiáng)塑料電阻率試驗(yàn)方法的標(biāo)準(zhǔn)。它規(guī)定了導(dǎo)電和抗靜電纖維增強(qiáng)塑料的電阻率測(cè)試方法，包括原理、測(cè)試設(shè)備、試樣制備、測(cè)試步驟和數(shù)據(jù)處理等方面的內(nèi)容。 該標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試方法是基于四電極測(cè)量技術(shù)的。在試樣上施加直流電壓，測(cè)量通過試樣的電流，然后根據(jù)歐姆定律計(jì)算電阻率。該方法適用于導(dǎo)電和抗靜電纖維增強(qiáng)塑料，可以評(píng)估材料的導(dǎo)電性能和抗靜電性能。
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GB/T 6146-2010精密電阻合金電阻率測(cè)試方法
2023-08-23
GB/T 6146-2010精密電阻合金電阻率測(cè)試方法 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了精密電阻合金電阻率的測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在參考溫度為20℃時(shí)，測(cè)量實(shí)心并具有均勻截面的精密電阻合金的體積電阻率和單位長度電阻。 合金電阻率是合金材料的一個(gè)重要參數(shù)，它反映了該合金材料對(duì)電流的*礙作用。不同合金材料具有不同的電阻率，且同一合金材料的電阻率會(huì)隨著溫度的變化而變化。例如，銀的電阻率為0.0165歐姆·米，銅的電阻率為0.0172歐姆·米，金和鉑的電阻率較小，分別為0.024歐姆·米和0.025歐姆·米。
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GB/T 12703.4-2010紡織品 靜電性能的評(píng)定 第4部分：電阻率
2023-08-23
GB/T 12703.4-2010紡織品 靜電性能的評(píng)定 第4部分：電阻率 GB/T 12703.4-2010是關(guān)于紡織品靜電性能評(píng)定的標(biāo)準(zhǔn)。其中，“第4部分：電阻率”規(guī)定了測(cè)量紡織品電阻率的方法。 該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了一種使用四探針法測(cè)量紡織品電阻率的測(cè)試方法。四探針法是一種常用的測(cè)試方法，使用四個(gè)探針按照直線排列，直接接觸紡織品的表面進(jìn)行測(cè)試。
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GB/T 11297.7-1989銻化銦單晶電阻率及霍耳系數(shù)的測(cè)試方法
2023-08-23
GB/T 11297.7-1989銻化銦單晶電阻率及霍耳系數(shù)的測(cè)試方法 這是一個(gè)關(guān)于銻化銦單晶電阻率和霍耳系數(shù)的測(cè)試方法的標(biāo)準(zhǔn)。它規(guī)定了使用四探針法測(cè)量銻化銦單晶電阻率和霍耳系數(shù)的測(cè)試方法。 在四探針法中，使用四個(gè)探針按照直線排列，分別與材料接觸，然后通過電源向材料施加一定的電流，同時(shí)測(cè)量材料兩端的電壓。根據(jù)歐姆定律，可以計(jì)算出材料的電阻率。
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GB/T 14141-2009硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定 直排四探針法
2023-08-23
GB/T 14141-2009標(biāo)準(zhǔn)提供了使用直排四探針法測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法，對(duì)于評(píng)估半導(dǎo)體器件和材料的電性能具有重要意義。 直排四探針法是一種常用的測(cè)試方法，用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的電阻率。該方法使用四個(gè)探針按照直線排列，直接接觸材料的表面進(jìn)行測(cè)試。 直排四探針法的優(yōu)點(diǎn)包括： 測(cè)試速度快，適合于批量測(cè)試。 對(duì)樣品的要求較低，不需要進(jìn)行特殊處理。 測(cè)量結(jié)果受樣品形狀和尺寸的影響較小。 直排四探針法的測(cè)試原理是基于歐姆定律，通過測(cè)量探針之間的電壓和電流來計(jì)算材料的電阻率
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GB/T 11073-2007硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法
2023-08-23
GB/T 11073-2007硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法 GB/T 11073-2007是關(guān)于硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法的標(biāo)準(zhǔn)。它適用于厚度小于探針平均間距、直徑大于15mm、電阻率為1X10^-3Ω·cm到3X10^3Ω·cm的硅單晶圓片徑向電阻率變化的測(cè)量。 硅片的徑向電阻率是指硅片沿徑向方向的電阻率。在標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試方法中，硅片的徑向電阻率是通過測(cè)量硅片在不同位置的電阻值，然后計(jì)算出平均電阻率來實(shí)現(xiàn)的。
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GB/T 6616-2009半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法 非接觸渦流法
2023-08-23
GB/T 6616-2009半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法 非接觸渦流法 規(guī)定了使用非接觸渦流法測(cè)試半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體器件和材料中硅片和硅薄膜的電阻率測(cè)試。 根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)包括測(cè)試裝置、探頭、信號(hào)發(fā)生器、測(cè)量儀器和試樣臺(tái)等部分。測(cè)試時(shí)，將硅片或硅薄膜放在試樣臺(tái)上，將探頭放置在試樣上方，并調(diào)整探頭與試樣的距離。然后，通過信號(hào)發(fā)生器向探頭發(fā)送激勵(lì)信號(hào)，探頭產(chǎn)生渦流磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)在試樣上產(chǎn)生感應(yīng)電流。同時(shí)，測(cè)量儀器測(cè)量試樣的電阻值。
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