GB/T 37977.23-2019 靜電學(xué) 第2-3部分：防靜電固體平面材料電阻和電阻率的測(cè)試方法
2023-08-23
GB/T 37977.23-2019 靜電學(xué) 第2-3部分：防靜電固體平面材料電阻和電阻率的測(cè)試方法 包含了防靜電固體平面材料電阻和電阻率的測(cè)試方法。該測(cè)試方法用于評(píng)估材料的防靜電性能，以確保這些材料在特定的應(yīng)用環(huán)境中能夠有效地防*止靜電積累和放電。
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GB/T 40007-2021納米技術(shù) 納米材料電阻率的接觸式測(cè)量方法 通則
2023-08-23
GB/T 40007-2021納米技術(shù) 納米材料電阻率的接觸式測(cè)量方法 通則 規(guī)定了納米材料電阻率的接觸式測(cè)量方法的通則。該標(biāo)準(zhǔn)適用于納米材料，包括納米顆粒、納米纖維、納米薄膜等。 該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了納米材料電阻率接觸式測(cè)量的基本原理、測(cè)試條件、測(cè)試步驟、數(shù)據(jù)處理和測(cè)量不確定度評(píng)估等內(nèi)容。 粉末電阻率測(cè)試儀方法是一種測(cè)量粉末電阻率的技術(shù)，主要采用四探針測(cè)量法。
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GB/T 39978-2021納米技術(shù) 碳納米管粉體電阻率 四探針?lè)?/h3>
2023-08-23
GB/T 39978-2021納米技術(shù) 碳納米管粉體電阻率 四探針?lè)? GB/T 39978-2021納米技術(shù) 碳納米管粉體電阻率 四探針?lè)ㄒ?guī)定了采用四探針?lè)y(cè)試試樣厚度大于4倍探針間距的碳納米管粉體電阻率的測(cè)試方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于碳納米管粉體，其他碳材料的粉體電阻率測(cè)試可參考執(zhí)行。 四探針?lè)ㄊ菧y(cè)量碳納米管粉體電阻率的一種方法。它使用四個(gè)探針，通過(guò)接觸碳納米管粉體試樣，測(cè)量其電阻率。
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GB/T 31838.7-2021電阻特性(DC方法) 高溫下測(cè)量體積電阻和體積電阻率
2023-08-23
GB/T 31838.7-2021電阻特性(DC方法) 高溫下測(cè)量體積電阻和體積電阻率 GB/T 31838.7-2021固體絕緣材料 介電和電阻特性 第7部分：電阻特性(DC方法) 高溫下測(cè)量體積電阻和體積電阻率 規(guī)定了使用直流方法在高溫下測(cè)量固體絕緣材料體積電阻和體積電阻率的測(cè)試方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于評(píng)估高溫下固體絕緣材料的電性能。
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GB/T 31838.5固體絕緣材料 介電和電阻特性 第5部分：電阻特性(DC方法) 浸漬和涂層材料的體積電阻和體積電阻率
2023-08-23
GB/T 31838.5-2021固體絕緣材料 介電和電阻特性 第5部分：電阻特性(DC方法) 浸漬和涂層材料的體積電阻和體積電阻率 GB/T 31838.5-2021規(guī)定了固體絕緣材料介電和電阻特性的測(cè)試方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于評(píng)估浸漬和涂層材料的電阻特性，包括體積電阻和體積電阻率。
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GB/T 1551-2021硅單晶電阻率的測(cè)定 直排四探針?lè)ê椭绷鲀商结樂(lè)?/h3>
2023-08-23
GB/T 1551-2021硅單晶電阻率的測(cè)定 直排四探針?lè)ê椭绷鲀商结樂(lè)? GB/T 1551-2021《硅單晶電阻率的測(cè)定 直排四探針?lè)ê椭绷鲀商结樂(lè)ā肥且粋€(gè)標(biāo)準(zhǔn)，它規(guī)定了使用直排四探針?lè)ê椭绷鲀商结樂(lè)y(cè)定硅單晶電阻率的測(cè)試方法。 直排四探針?lè)ㄟm用于測(cè)試電阻率為0.01Ω·cm到1000Ω·cm的硅單晶，而直流兩探針?lè)ㄟm用于測(cè)試電阻率為10-4Ω·cm到100Ω·cm的硅單晶。
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GB/T 40719-2021硫化橡膠或熱塑性橡膠 體積和/或表面電阻率的測(cè)定
2023-08-23
GB/T 40719-2021硫化橡膠或熱塑性橡膠 體積和/或表面電阻率的測(cè)定 GB/T 40719-2021是關(guān)于硫化橡膠或熱塑性橡膠體積和/或表面電阻率測(cè)定的推薦標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用四電極系統(tǒng)測(cè)量硫化橡膠或熱塑性橡膠的體積電阻率和表面電阻率的測(cè)試方法。以下是該標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容：
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GB/T 41708-2022玻璃熔體電阻率試驗(yàn)方法
2023-08-23
GB/T 41708-2022玻璃熔體電阻率試驗(yàn)方法 GB/T 41708-2022規(guī)定了玻璃熔體電阻率的測(cè)量方法。 范圍：該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了玻璃熔體電阻率測(cè)量的測(cè)量原理、儀器設(shè)備及輔*助工具、試樣制備、試驗(yàn)步驟、測(cè)試結(jié)果處理和試驗(yàn)報(bào)告。 試驗(yàn)方法：標(biāo)準(zhǔn)中采用四電極方法測(cè)量玻璃熔體電阻率。
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GB/T 41232.3納米制造 關(guān)鍵控制特性 納米儲(chǔ)能 第3部分：納米材料接觸電阻率和涂層電阻率的測(cè)試
2023-08-23
GB/T 41232.3-2023納米制造 關(guān)鍵控制特性 納米儲(chǔ)能 第3部分：納米材料接觸電阻率和涂層電阻率的測(cè)試 接觸電阻率和涂層電阻率的測(cè)試是納米材料表征的重要部分常用的測(cè)試方法： 四探針?lè)ǎ核奶结樂(lè)ㄊ且环N常用的測(cè)量半導(dǎo)體材料電阻率的簡(jiǎn)單方法。這種方法使用四個(gè)探針同時(shí)接觸材料表面，避免了使用電極時(shí)可能會(huì)引入的接觸電阻。電阻率的計(jì)算公式為ρ = √(π*a/t)，其中a是探針間距，t是探針的測(cè)量電流。
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GB/T 42271-2022半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測(cè)試方法
2023-08-23
GB/T 42271-2022半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測(cè)試方法 GB/T 42271-2022是半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測(cè)試方法的標(biāo)準(zhǔn)號(hào)。具體的測(cè)試方法應(yīng)該在這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的文本中詳細(xì)說(shuō)明。我建議您查找這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的官方文本，以獲取更準(zhǔn)確的信息。 半絕緣碳化硅單晶是一種半導(dǎo)體材料，具有高電阻率和寬禁帶特性，被廣泛應(yīng)用于高壓器件、射頻器件和高溫器件等領(lǐng)域。特別是在氮化鎵射頻器件、電力電子、微波射頻器件、發(fā)光二極管等應(yīng)用方面具有極大的潛力。
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