GB/T 37977.23-2019 靜電學(xué) 第2-3部分：防靜電固體平面材料電阻和電阻率的測試方法
2023-08-23
GB/T 37977.23-2019 靜電學(xué) 第2-3部分：防靜電固體平面材料電阻和電阻率的測試方法 包含了防靜電固體平面材料電阻和電阻率的測試方法。該測試方法用于評估材料的防靜電性能，以確保這些材料在特定的應(yīng)用環(huán)境中能夠有效地防*止靜電積累和放電。
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GB/T 40007-2021納米技術(shù) 納米材料電阻率的接觸式測量方法 通則
2023-08-23
GB/T 40007-2021納米技術(shù) 納米材料電阻率的接觸式測量方法 通則 規(guī)定了納米材料電阻率的接觸式測量方法的通則。該標(biāo)準(zhǔn)適用于納米材料，包括納米顆粒、納米纖維、納米薄膜等。 該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了納米材料電阻率接觸式測量的基本原理、測試條件、測試步驟、數(shù)據(jù)處理和測量不確定度評估等內(nèi)容。 粉末電阻率測試儀方法是一種測量粉末電阻率的技術(shù)，主要采用四探針測量法。
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GB/T 39978-2021納米技術(shù) 碳納米管粉體電阻率 四探針法
2023-08-23
GB/T 39978-2021納米技術(shù) 碳納米管粉體電阻率 四探針法 GB/T 39978-2021納米技術(shù) 碳納米管粉體電阻率 四探針法規(guī)定了采用四探針法測試試樣厚度大于4倍探針間距的碳納米管粉體電阻率的測試方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于碳納米管粉體，其他碳材料的粉體電阻率測試可參考執(zhí)行。 四探針法是測量碳納米管粉體電阻率的一種方法。它使用四個探針，通過接觸碳納米管粉體試樣，測量其電阻率。
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GB/T 31838.7-2021電阻特性(DC方法) 高溫下測量體積電阻和體積電阻率
2023-08-23
GB/T 31838.7-2021電阻特性(DC方法) 高溫下測量體積電阻和體積電阻率 GB/T 31838.7-2021固體絕緣材料 介電和電阻特性 第7部分：電阻特性(DC方法) 高溫下測量體積電阻和體積電阻率 規(guī)定了使用直流方法在高溫下測量固體絕緣材料體積電阻和體積電阻率的測試方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于評估高溫下固體絕緣材料的電性能。
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GB/T 31838.5固體絕緣材料 介電和電阻特性 第5部分：電阻特性(DC方法) 浸漬和涂層材料的體積電阻和體積電阻率
2023-08-23
GB/T 31838.5-2021固體絕緣材料 介電和電阻特性 第5部分：電阻特性(DC方法) 浸漬和涂層材料的體積電阻和體積電阻率 GB/T 31838.5-2021規(guī)定了固體絕緣材料介電和電阻特性的測試方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于評估浸漬和涂層材料的電阻特性，包括體積電阻和體積電阻率。
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GB/T 1551-2021硅單晶電阻率的測定 直排四探針法和直流兩探針法
2023-08-23
GB/T 1551-2021硅單晶電阻率的測定 直排四探針法和直流兩探針法 GB/T 1551-2021《硅單晶電阻率的測定 直排四探針法和直流兩探針法》是一個標(biāo)準(zhǔn)，它規(guī)定了使用直排四探針法和直流兩探針法測定硅單晶電阻率的測試方法。 直排四探針法適用于測試電阻率為0.01Ω·cm到1000Ω·cm的硅單晶，而直流兩探針法適用于測試電阻率為10-4Ω·cm到100Ω·cm的硅單晶。
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GB/T 40719-2021硫化橡膠或熱塑性橡膠 體積和/或表面電阻率的測定
2023-08-23
GB/T 40719-2021硫化橡膠或熱塑性橡膠 體積和/或表面電阻率的測定 GB/T 40719-2021是關(guān)于硫化橡膠或熱塑性橡膠體積和/或表面電阻率測定的推薦標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用四電極系統(tǒng)測量硫化橡膠或熱塑性橡膠的體積電阻率和表面電阻率的測試方法。以下是該標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容：
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GB/T 41708-2022玻璃熔體電阻率試驗方法
2023-08-23
GB/T 41708-2022玻璃熔體電阻率試驗方法 GB/T 41708-2022規(guī)定了玻璃熔體電阻率的測量方法。 范圍：該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了玻璃熔體電阻率測量的測量原理、儀器設(shè)備及輔*助工具、試樣制備、試驗步驟、測試結(jié)果處理和試驗報告。 試驗方法：標(biāo)準(zhǔn)中采用四電極方法測量玻璃熔體電阻率。
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GB/T 41232.3納米制造 關(guān)鍵控制特性 納米儲能 第3部分：納米材料接觸電阻率和涂層電阻率的測試
2023-08-23
GB/T 41232.3-2023納米制造 關(guān)鍵控制特性 納米儲能 第3部分：納米材料接觸電阻率和涂層電阻率的測試 接觸電阻率和涂層電阻率的測試是納米材料表征的重要部分常用的測試方法： 四探針法：四探針法是一種常用的測量半導(dǎo)體材料電阻率的簡單方法。這種方法使用四個探針同時接觸材料表面，避免了使用電極時可能會引入的接觸電阻。電阻率的計算公式為ρ = √(π*a/t)，其中a是探針間距，t是探針的測量電流。
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GB/T 42271-2022半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測試方法
2023-08-23
GB/T 42271-2022半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測試方法 GB/T 42271-2022是半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測試方法的標(biāo)準(zhǔn)號。具體的測試方法應(yīng)該在這個標(biāo)準(zhǔn)的文本中詳細(xì)說明。我建議您查找這個標(biāo)準(zhǔn)的官方文本，以獲取更準(zhǔn)確的信息。 半絕緣碳化硅單晶是一種半導(dǎo)體材料，具有高電阻率和寬禁帶特性，被廣泛應(yīng)用于高壓器件、射頻器件和高溫器件等領(lǐng)域。特別是在氮化鎵射頻器件、電力電子、微波射頻器件、發(fā)光二極管等應(yīng)用方面具有極大的潛力。
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